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Dile adiós a las tarjetas microSD. Samsung comenzó la producción en masa de una nueva solución de almacenamiento flash integrado (eUFS, por sus siglas en inglés) de 512GB.
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Para lograrlo, la surcoreana utilizó ocho chips V-NAND de 512Gb de 64 capas, con lo que promete una capacidad de almacenamiento récord y mayores velocidades de procesamiento con un consumo mÃnimo de energÃa.
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Asimismo, permitirá velocidades de lectura y escritura de hasta 860 y 255 megabytes por segundo (MB/s), respectivamente. Mientras que para tareas normales, será 400 veces más rápida que una tarjeta microSD.
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Y para tener una idea más clara de su almacenamiento, la nueva solución eUFS permitirá guardar hasta 130 videos de 10 minutos en 4K.
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La surcoreana no dio fecha de lanzamiento para su nueva tecnologÃa, pero sà adelantó que está diseñada para sus teléfonos insignia, y aunque no especificó cuáles, podemos esperar una versión del Galaxy S9 con 512GB de almacenamiento interno.
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Actualmente, Samsung distribuye una versión de 256GB del Galaxy Note 8, que se podrÃa considerar la máxima capacidad de almacenamiento móvil de la marca. Â
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Bonus: reseña del Galaxy Note 8