Dile adiós a las tarjetas microSD. Samsung comenzó la producción en masa de una nueva solución de almacenamiento flash integrado (eUFS, por sus siglas en inglés) de 512GB.
Para lograrlo, la surcoreana utilizó ocho chips V-NAND de 512Gb de 64 capas, con lo que promete una capacidad de almacenamiento récord y mayores velocidades de procesamiento con un consumo mínimo de energía.
Asimismo, permitirá velocidades de lectura y escritura de hasta 860 y 255 megabytes por segundo (MB/s), respectivamente. Mientras que para tareas normales, será 400 veces más rápida que una tarjeta microSD.
Y para tener una idea más clara de su almacenamiento, la nueva solución eUFS permitirá guardar hasta 130 videos de 10 minutos en 4K.
La surcoreana no dio fecha de lanzamiento para su nueva tecnología, pero sí adelantó que está diseñada para sus teléfonos insignia, y aunque no especificó cuáles, podemos esperar una versión del Galaxy S9 con 512GB de almacenamiento interno.
Actualmente, Samsung distribuye una versión de 256GB del Galaxy Note 8, que se podría considerar la máxima capacidad de almacenamiento móvil de la marca.